Полевой транзистор моп (mosfet)

Драйвер двигателя на полевых сборках

Для построения драйвера маломощного двигателя при конструировании устройств автоматики или робототехники необязательно покупать специализированные микросхемы. Собрать достаточно мощное устройство управления можно и на простых полевых транзисторах, а еще лучше, на полевых комплементарных сборках.

Рисунок 1. Драйвер двигателя на транзисторных сборках

В качестве примера на рисунке 1 приведена схема драйвера на двух сборках IRF7105. Управление двигателем производится высоким уровнем (не менее половины напряжения питания) по входам «вправо», «влево». При отсутствии сигнала двигатель остановлен, наличие одновременно обоих сигналов не допускается.

Рисунок 2. Состав и цоколевка транзисторной сборки IRF7105

При использовании указанной сборки драйвер может управлять двигателем на напряжение до 12 В (максимльно допустимое напряжение исток-сток – 25 В) при токе в 1.5 А. Дроссели Др1 и Др2 – помехозащитные. Для их изготовления на ферритовые кольца диаметром 7-10 мм нужно намотать по 15 витков обмоточного провода диаметром 0.3 мм.

Рисунок 3. Драйвер двигателя на полевых транзисторах

Вполне очевидно, что подобный драйвер можно собрать и на отдельных полевых транзисторах (рисунок 3). Единственно, нужно брать приборы с индуцированным каналом, способные работать в режиме ключей и, конечно, они должны выдерживать ток и напряжение питания двигателя. Диоды VD1-VD4 защищают полевые транзисторы от обратного тока самоиндукции двигателя при его отключении.

Управление двигателем при помощи реле

Если вам необходимо управление двигателем постоянного тока, и вы знаете, что частота переключения не будет слишком большая (ниже 20 Гц), то вы можете для коммутации использовать реле (реле не подходят для управления ШИМ). Преимуществом такого решения является, прежде всего, малое выделение тепла.

Существуют малогабаритные реле способные управлять токами до 10 А ! Для таких больших токов, потери мощности в реле являются приемлемыми, но для небольших токов хуже. Катушка управления контактами реле можно работать даже от нескольких сотен мА. Так что нет никакого смысла в использовании такого реле для управления током подобной величины. К счастью, есть отдельные экземпляры, которые потребляют ток около 40 мА и это уже гораздо лучше.

Если речь идет о напряжении управления реле, то оно бывает от 3 до 24 В. Как мы уже писали ранее, максимальный выходной ток микроконтроллера 20 мА, а это слишком мало, чтобы управлять реле напрямую. Поэтому для управления необходимо использовать транзистор. Схема такого подключения, как правило, выглядит следующим образом:

Так и так, нам нужен транзистор. Следует, отметить, что в данном случае выделяется гораздо меньше тепла, чем на схеме, основанной только на транзисторе, так как через транзисторный ключ в этой системе течет небольшой ток, а само реле почти не рассеивает энергию в выходной цепи.

Защитный диод на реле не является обязательным. Его наличие зависит от силы тока, индуктивности катушки и максимального напряжения Uкэ транзистора. А вот наличие диода в выходной цепи больше зависит от того, хотим ли мы продлить срок службы контактов реле.

В конце рассуждений о реле приведем ситуацию, когда данный вид управления двигателем является оптимальным. Предположим, что мы хотим управлять двигателем, у которого номинальное рабочее напряжение 2,5 В и ток 3А и работает он от источника напряжением 2,5 В (переключение с небольшой частотой). Если вы будете использовать усилитель, построенный на транзисторе, то на выходе мы будем иметь падение напряжения около 1 В, что в данном случае является слишком большим значением. При использовании же реле у нас никакого падения напряжения не будет.

Простой ШИМ регулятор

Регулировать напряжение питания мощных потребителей удобно с помощью регуляторов с широтно-импульсной модуляцией. Преимущество таких регуляторов заключается в том, что выходной транзистор работает в ключевом режиме, а значить имеет два состояния — открытое или закрытое. Известно, что наибольший нагрев транзистора происходит в полуоткрытом состоянии, что приводит к необходимости устанавливать его на радиатор большой площади и спасать его от перегрева.

Предлагаю простую схему ШИМ регулятора. Питается устройство от источника постоянного напряжения 12В. При указанном экземпляре транзистора, выдерживает ток до 10А.

Рассмотрим работу устройства: На транзисторах VT1 и VT2 собран мультивибратор с регулируемой скважностью импульсов. Частота следования импульсов около 7кГц

С коллектора транзистора VT2 импульсы поступают на ключевой транзистор VT3, который управляет нагрузкой. Скважность регулируется переменным резистором R4. При крайнем левом положении движка этого резистора, см. верхнюю диаграмму, импульсы на выходе устройства узкие, что свидетельствует о минимальной выходной мощности регулятора. При крайнем правом положении, см. нижнюю диаграмму, импульсы широкие, регулятор работает на полную мощность.

С помощью данного регулятора можно управлять бытовыми лампами накаливания на 12 В, двигателем постоянного тока с изолированным корпусом. В случае применения регулятора в автомобиле, где минус соединён с корпусом, подключение следует выполнять через p-n-p транзистор, как показано на рисунке. Детали: В генераторе могут работать практически любые низкочастотные транзисторы, например КТ315, КТ3102. Ключевой транзистор IRF3205, IRF9530. Транзистор p-n-p П210 заменим на КТ825, при этом нагрузку можно подключать на ток до 20А!

И в заключении следует сказать, что данный регулятор работает в моей машине с двигателем обогрева салона уже более двух лет.

Переменный резистор (потенциометр)

Постоянные сопротивления имеют всего два вывода. А вот переменные — три. На электрических схемах и на корпусе элемента указывается сопротивление между двумя крайними контактами. А вот между средним и любым из крайних сопротивление будет меняться в зависимости от того, в каком положении находится ось резистора. При этом если подключить два омметра, то можно увидеть, как будет меняться показание одного в меньшую сторону, а второго — в большую. Нужно понять, как читать схемы радиоэлектронных устройств. Обозначения радиодеталей тоже не лишним окажется знать.

Суммарное сопротивление (между крайними выводами) останется неизменным. Переменные резисторы используются для регулирования усиления (с их помощью меняете вы громкость в радиоприемниках, телевизорах). Кроме того, переменные резисторы активно используются в автомобилях. Это датчики уровня топлива, регуляторы скорости вращения электродвигателей, яркости освещения.

Переменные конденсаторы

Для обозначения конденсаторов с переменной емкостью используются два параллельных отрезка, которые пересекает наклонная стрелка. Подвижные пластины, подключаемые в определенной точке схемы, изображаются в виде короткой дуги. Возле нее проставляется обозначение минимальной и максимальной емкости. Блок конденсаторов, состоящий из нескольких секций, объединяется с помощью штриховой линии, пересекающей знаки регулировки (стрелки).

Обозначение подстроечного конденсатора включает в себя наклонную линию со штрихом на конце вместо стрелки. Ротор отображается в виде короткой дуги. Другие элементы — термоконденсаторы обозначаются буквами СК. В его графическом изображении возле знака нелинейной регулировки проставляется температурный символ.

H-мост управления двигателем

Легко заметить, что изменение направления тока приводит к изменению направления вращения двигателя. Вместо этих переключателей можно собрать H-мост на транзисторах и управлять ими с помощью микроконтроллера.

Как правило, для двигателей большой мощности H-мост строится на MOSFET транзисторах. Когда-то такие H-мосты были очень популярны по экономическим соображениям, поскольку транзисторы дешевле, чем микросхема. Их часто можно встретить в бюджетных игрушечных автомобилях с дистанционным управлением.

Однако на рынке уже не один год существуют специализированные микросхемы H-мостов. Они со временем становятся все дешевле и имеют больше возможностей и безопасности. Одной из таких простых микросхем является L293D.

Это простой драйвер электродвигателя, содержащий в себе два H-моста, имеет возможность управления двигателем путем ШИМ.

Назначения выводов драйвера L293D:

1,2 EN, 3,4 EN – служат для управления сигналом ШИМ.
1А, 2А, 3А, 4А – вход управления направлением вращения электродвигателя.
1Y, 2Y, 3Y, 4Y – выходы питающие двигатель.
Vcc1 – вывод питания логики контроллера +5В
Vcc2 – вывод для питания двигателей от +4.5В до +36В.

То как происходит управление L293D показано в таблице ниже:

Электрический паяльник с регулировкой температуры
Мощность: 60/80 Вт, температура: 200’C-450’C, высококачествен…

Подробнее

Когда на входе А и EN присутствует высокий уровень, то на выходе с тем же номером так же будет высокий уровень. Когда на входе A будет низкий и на EN высокий уровень, то на выходе мы получим низкое состояние. Подавая сигнал низкого уровня на EN, на выходе будет состояние высокого импеданса, в не зависимости от того какой сигнал будет на входе А.

Таким образом, мы можем контролировать направление движения тока, в результате чего у нас есть возможность изменять направление вращения электродвигателя.

Технические характеристики L293D:

Напряжение питания : +5В.
Напряжение питания двигателей: от +4.5 в до +36В.
Выходной ток: 600мА.
Максимальный выходной ток (в импульсе) 1,2А.
Рабочая температура от 0°C до 70°C.

Другой популярной микросхемой является L298. Она значительно мощнее, чем описанная ранее L293D. Микросхема L298 так же имеет в своем составе два H-моста и также поддерживает ШИМ.

Назначение выводов L298 очень похоже на L293D. Здесь так же есть два входа управления, входы EN и выходы на двигатель. Vss — это питание микросхемы, а Vs — это питание для двигателей.

Есть так же и различие, а именно выводы CURRENT SENSING, которые служат для измерения тока потребления двигателей. Эти выводы следует подключить к массе питания через небольшой резистор, примерно 0,5 Ом.
Ниже приведена схема подключения L298:

В данной схеме стоит обратить внимание на внешние диоды, подключенные к выводам электродвигателя. Они служат для отвода индукционных всплесков в двигателе, которые возникают во время торможения и изменения направления вращения

Их отсутствие может привести к повреждению микросхемы. В драйвере L293D эти диоды уже имеются внутри самой микросхемы.

Технические характеристики L298:

Напряжение питания :+5В.
Напряжение питания двигателей: до +46В.
Максимальный ток, потребляемый двигателями: 4A.

Следующая микросхема H-моста – эта TB6612, новый драйвер с очень хорошими характеристиками, набирающий все большую популярность.

Вы можете заметить, что все эти драйверы электродвигателей одинаковы в управлении, но в TB6612 выходы спарены, из-за большой мощности.
Максимальное напряжение питания TB6612 составляет 15В, а максимальный ток 1,2 А. При этом максимальный импульсный ток составляет 3,2A.

Предисловие

За свою карьеру я несколько раз встречался с проблемой отсутствия возможности логирования. Работая над своими проектами, я либо отказывался от него вовсе, либо отправлял данные по самописному протоколу гарантированной доставки по UART на компьютер, где их принимал python скрипт и строил графики. Оба варианта меня не удовлетворяли как по времени, так и по качеству.

В местах работы же, напротив, использовались свои библиотеки и системы сбора телеметрии. Где-то неплохие, где-то похуже. Однако, все они были закрытые и на их поддержание и доработки уходили человека-месяцы.

Сейчас же мне захотелось довести до ума один из своих проектов, в котором применена достаточно нетривиальная система автоматического управления. Для разработки данного проекта изучение внутреннего поведения сигналов в реальном времени жизненно необходимо.

Писать свою систему сбора телеметрии мне не хотелось, поскольку это достаточно тяжелая задача и я не был уверен, что смог бы сделать лучше, чем то, что я уже видел. И тут я вспомнил, что на habr имеется статья о сравнении компьютерных библиотек логирования. Просматривая их, я обнаружил, что у самой производительной из них (P7) имеется версия под микроконтроллер (uP7)!

Я решил изучить этот вопрос и не пожалел, что потратил на это время. Но обо все по порядку.

Настоящее «лицо» интегратора

«Лицом» интегратора и результатом его отношения к заказчику всегда является монтаж. Можно нанять замечательных продавцов, коммуникабельных менеджеров проекта, но без качественного монтажа все это не имеет смысла при реализации проекта.

Достаточно посмотреть на объект, который выполнил системный интегратор, чтобы понять, какую философию отношения к заказчику исповедует руководство компании. Если монтаж выполнен аккуратно, качественно, из правильных материалов, продуманы мелочи, продуманы высоты и однотипное размещение видимых элементов систем безопасности, то сама система безопасности будет служить заказчику дольше и меньше требовать к себе внимания.

Если монтаж выполнен спустя рукава, если за монтажниками нет должного контроля и их руководство не объясняет им, что такое хорошо, а что такое плохо, если проектировщики не осуществляют авторский надзор за проектными решениями, то и результат будет отрицательный, например внутренний кабель на фасаде, незащищенный доступ к оборудованию, гофра на фасаде вместо трубы, «елки» из камер на столбах вместо одной мультисенсорной, отсутствие грозозащиты и заземления, паутина проводов в серверной, наводки на слаботочные сети от близко расположенных силовых сетей и т.д.

Некачественный и бездумный монтаж интегратора всегда приводит к финансовым рискам для заказчика, связанным с легким доступом к системе и ее элементам, негерметичностью оборудования, попаданием насекомых и влаги, разрушением материалов от солнца и осадков.

Все эти скрытые на момент проведения тендера риски в итоге приведут к значительному снижению срока службы системы и прямым убыткам в случае умышленного вывода такой системы из строя.

IRFZ44N Datasheet (PDF)

1.1. irfz44n.pdf Size:100K _update

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.2. irfz44npbf.pdf Size:226K _update

PD — 94787B IRFZ44NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 17.5mΩ l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free >

IRFZ44NSPbF l IRFZ44NLPbF l l l D DSS l l l DS(on) Ω Description G D

1.4. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44N TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V �trench� technology. The device ID Drain current (DC) 49 A features very low on-state re

1.5. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44NS TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a surface mounting VDS Drain-source voltage 55 V plastic envelope using �trench� ID Drain current (DC) 49 A technology. The device features ve

1.6. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

PD — 94053 IRFZ44N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 17.5m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated >1.7. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94153 IRFZ44NS IRFZ44NL Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ44NS) HEXFET� Power MOSFET Low-profile through-hole (IRFZ44NL) D 175�C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.0175? Description G Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International >1.8. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

1.9. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

1.10. irfz44n.pdf Size:145K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.11. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 55V N-Channel Mode MOSFET VDS=55V LIRFZ44N RDS(ON), Vgs@10V, >

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Нишевой маркетинг

Нишевой маркетинг (niche marketing) — маркетинг в рыночной нище, маркетинг в узком сегменте рынка, в котором компания работает с прибылью, не конкурируя с другими участниками рынка.

Определяющим для узкой рыночной ниши является ограничения по объему сбыта, вызванные:

«не зрелостью» сегмента. Растущий молодой рынок, с неустоявшимися правилами рыночной игры и рыночными игроками, а так же с характерным не постоянством потребления);
«закрытостью» сегмента. «Закрытый» рынок — рыночный сегмент, вхождение на который затруднено либо высоким порогом входа, либо наличием определенного административного ресурса.

Нишевой маркетинг — маркетинговая стратегия, при которой товаропроизводитель или продавец направляет все свои усилия не на весь рынок, а концентрирует маркетинговые усилия на его небольшом сегменте. Нишевой маркетинг как правило характерен для:

не больших фирм с ограниченными ресурсами;
для товаров узкого нишевого спроса.

Нишевой маркетинг при ограниченных ресурсах позволяет концентрироваться на небольшом сегменте рынка, или “нише”, которые могли быть упущены (сознательно не заняты или обслуживаемые от случая к случаю) более крупными игроками на рынке – конкурентами, в силу неразвитости «ниши», малой предполагаемой доходности, узости самой рыночной ниши.

Преимущества нишевого маркетинга:

возможность быстро стать специалистом в своей нише;
экономия ресурсов для выхода на рынок;
отсутствие явной и жесткой конкуренции, так свойственной рынку;

Стратегии нишевого маркетинга. Существует несколько различных стратегий нишевого маркетинга:

стратегия конечного пользователя, при которой обслуживается конечный пользователь только одного типа;
стратегия вертикального уровня, специализирующаяся на одном уровне цикла производство-распределение;
стратегия размера потребителя, при которой продается продукция, разработанная только для потребителя определенного размера, например, одежда для очень маленьких или очень больших людей;
стратегия обслуживания, при которой предлагаются услуги, не предоставляемые другими компаниями;
географическая стратегия, при которой товары продаются только в одной географической зоне.

Нишевый дистрибьютор — это компания, имеющая прямые контракты с производителями и сознательно ограничивающая сферу своей маркетинговой деятельности, дистрибьюцию определенным, достаточно узким сегментом рынка.

Количество показов: 15607

Резисторы

К резисторам относятся радиодетали, обладающие строго определенным сопротивление протекающему через них электрическому току. Данная функция предназначена для понижения тока в цепи. Например, чтобы лампа светила менее ярко, питание на нее подается через резистор. Чем выше сопротивление резистора, тем меньше будет свечение лампы. У постоянных резисторов сопротивление остается неизменным, а переменные резисторы могут изменять свое сопротивление от нулевого значения до максимально возможной величины.

Каждый постоянный резистор обладает двумя основными параметрами — мощностью и сопротивлением. Значение мощности указывается на схеме не буквенными или цифровыми символами, а с помощью специальных линий. Сама мощность определяется по формуле: P = U x I, то есть равна произведению напряжения и силы тока

Данный параметр имеет важное значение, поскольку тот или иной резистор может выдержать лишь определенное значение мощности. Если это значение будет превышено, элемент просто сгорит, так как во время прохождения тока по сопротивлению происходит выделение тепла

Поэтому на рисунке каждые линии, нанесенные на резистор, соответствуют определенной мощности.

Существуют и другие способы обозначения резисторов на схемах:

На принципиальных схемах обозначается порядковый номер в соответствии с расположением (R1) и значение сопротивления, равное 12К. Буква «К» является кратной приставкой и обозначает 1000. То есть, 12К соответствует 12000 Ом или 12 килоом. Если в маркировке присутствует буква «М», это указывает на 12000000 Ом или 12 мегаом.
В маркировке с помощью букв и цифр, буквенные символы Е, К и М соответствуют определенным кратным приставкам. Так буква Е = 1, К = 1000, М = 1000000. Расшифровка обозначений будет выглядеть следующим образом: 15Е — 15 Ом; К15 — 0,15 Ом — 150 Ом; 1К5 — 1,5 кОм; 15К — 15 кОм; М15 — 0,15М — 150 кОм; 1М2 — 1,5 мОм; 15М — 15мОм.
В данном случае используются только цифровые обозначения. Каждое включает в себя три цифры. Первые две из них соответствуют значению, а третья — множителю. Таким образом, к множителям относятся: 0, 1, 2, 3 и 4. Они означают количество нулей, добавляемых к основному значению. Например, 150 — 15 Ом; 151 — 150 Ом; 152 — 1500 Ом; 153 — 15000 Ом; 154 — 120000 Ом.

IRF7307 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF7307

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 20
nC

Время нарастания (tr): 42
ns

Выходная емкость (Cd): 280
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05
Ohm

Тип корпуса:

IRF7307
Datasheet (PDF)

0.1. irf7307qpbf.pdf Size:302K _international_rectifier

PD — 96106IRF7307QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFET1 8l Ultra Low On-Resistance S1 D1N-Ch P-Chl Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2VDSS 20V -20Vl Available in Tape & Reel4 5G2 D2l 150C Operating TemperatureP-CHANNEL MOSFETl Automotive QualifiedTop View RDS(on) 0.050 0.090l Lead-F

0.2. irf7307.pdf Size:194K _international_rectifier

PD — 9.1242BIRF7307HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN -C HAN NEL M O SF ET1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1N-Ch P-Ch Dual N and P Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 VDSS 20V -20V Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingP-CH ANNEL MOSFET Fast SwitchingTop View RDS(on) 0.050 0.090DescriptionFifth Generation HEXFE

0.3. irf7307pbf.pdf Size:282K _infineon

PD — 95179IRF7307PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceN-CHANNEL MOSFET1 8l Dual N and P Channel MosfetS1 D1N-Ch P-Chl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2VDSS 20V -20Vl Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingP-CHANNEL MOSFETl Lead-FreeTop View RDS(on) 0.050 0.090DescriptionFifth G

Другие MOSFET… IRF7751G
, IRF7506
, IRF7316
, IRF7328
, IRF7754G
, IRF7509
, IRF7309
, IRF7105
, BUZ90A
, IRF7105Q
, IRF7389
, IRF7343I
, IRF7343Q
, IRF7309I
, IRF7379I
, IRF7319
, IRF7317
.

Примеры работы

Приступим к демонстрации возможностей. Схема подключения — на картинке выше. Управляющая плата запитана через USB или внешний разъём питания.

Примеры для Arduino

Для начала покрутим мотор в течении трёх секунд в одну, а затем другую сторону.

// пины в режим выхода
// покрутим в течении 3 секунд мотор в одну сторону
// далее покрутим в течении 3 секунд мотор в другую сторону
// после чего остановим мотор

Усовершенствуем эксперимент: заставим мотор плавно разгоняться до максимума и останавливаться в одном направлении, а затем в другом.

// пин управления скоростью мотора (с подержкой ШИМ)
// пин выбора направления движения мотора
// пины в режим выхода
// меняем направление
// меняем направление
// теперь заставим мотор медленно разгоняться до максимума

Пример для Iskra JS

dc_motor_test.js
// подключаем библиотеку

var
Motor =
require(«@amperka/motor»
)
;

// подключаем мотор с указанием пина скорости и направления вращения

var
myMotor =
Motor.connect
({
phasePin:
A3,
pwmPin:
P11,
freq:
100
}
)
;

// крутим мотор назад на 75% мощности

myMotor.write
(0.75
)
;