Простой транзисторный усилитель класса «а»

Содержание драгметаллов

Извлечение драгметаллов из радиокомпонентов — процесс довольно трудоёмкий и опасный, т.к. в большинстве случаев в домашних условиях для этого используют очень сильные кислоты. Что касается Транзистора КТ808А, то в различных справочниках информация о содержании серебра и золота в нем разнится. Видимо это связано с тем, что с течением времени в технологию изготовления вносились изменения. В представленном ниже фрагменте этикетки указаны следующие значения: золото — 0,014763г. , серебро — 0,058677г. Это не самые большие показатели, встречаются компоненты и с большим содержанием ценных металлов.

Чем отличаются разные транзисторы

На примере простого транзистора мы разобрали его принцип работы, однако их бывает великое множество. Давайте научимся их отличать и узнаем, зачем каждый из них нужен.

Биполярные

Биполярные транзисторы – это самые популярные. В полупроводника в таких транзисторах есть два p-n перехода. Заряд через них переносится дырками и электронами.

Среди них тоже различают несколько подвидов (они зависят от расположения переходов и количества электродов), среди которых:

  • составной транзистор pnp тип;
  • составной транзистор npn тип;
  • более сложные многоэлектродные (может быть сразу 2 эмиттера);
  • транзисторы на гетеропереходах.

Лавинные транзисторы

Это поистине интересный вид транзисторов, ведь он работает очень эффективно и при этом очень быстро

Их основные плюсы – это высокие рабочие напряжения и, конечно же, скорость включения, а это очень важно в электронике. Ученые до сих пор ломают голову, как можно использовать эти транзисторы с максимальным КПД, хотя они и сейчас показывают потрясающие результаты

Однопереходные транзисторы

Существуют в мире и такие транзисторы. Тут всего один переход, поэтому и классификация гораздо проще:

  • первый тип это с “p” базой;
  • а второй это с “n” базой.

Транзисторы с управляющим переходом

Это тоже очень интересный и необычный вид транзисторов, ведь у него, как и следует из названия, управляемый переход, что делает его еще более универсальным, но и приводит его к удорожанию. На подвидах мы останавливаться не будем, так они все примерно такие же, как и у предыдущих.

Транзисторы с изолированным затвором

А это еще что за затвор, могли бы вы подумать. Рассказываю. Как я уже писал выше, транзистор начинает работать, когда на него подают небольшое напряжение. Так вот, тот электрод, на которые напряжение подается и называется затвором. Здесь ничего особенного, просто сам затвор изолируется, что дает больше возможностей для управления транзистором и для некоторых задач это, действительно, очень полезно.

Технические характеристики [ править ]

Точные рабочие характеристики зависят от производителя и даты; до перехода на эпитаксиальную базовую версию в середине 1970-х годов f T могла составлять, например, всего 0,8 МГц.

производитель Дата V генеральный директор V CBO V CER (100 Ом) I C I B P D @ T C = 25 град. h fe (импульсный тест) f T
RCA 1967 60 В генеральный директор (вус) 100 В CBO 70 В CER (Sus) 15А 115 Вт 20-70 (при I C = 4А в импульсном режиме ) не дано
ON-Semiconductor 2005 60 В генеральный директор 100 В CBO 70 В CER 15А (непрерывный) 115 Вт 20-70 (при I C = 4A) 2,5 МГц

Упакованный в корпус типа TO-3 , это силовой транзистор на 15 А , 60 В (или более, см. Ниже), 115 Вт с (усиление прямого тока) от 20 до 70 при токе коллектора 4 А (это может быть от 100 до 200 при тестировании с помощью мультиметра ). часто составляет около 3,0 МГц, а для 2N3055A типично 6 МГц; на этой частоте расчетное усиление по току (бета) падает до 1, указывая на то, что транзистор больше не может обеспечивать полезное усиление в конфигурации с обычным эмиттером . Частота, при которой усиление начинает падать, может быть намного ниже, см. Ниже.

Транзистор 2Н3055 внутреннее устройство.

Максимальные оценки

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером для 2N3055, как и для других транзисторов, зависит от пути сопротивления, который внешняя цепь обеспечивает между базой и эмиттером транзистора; при 100 Ом номинальное напряжение пробоя 70 В, V CER , и поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер, V CEO (sus) , предоставлено ON Semiconductor. Иногда напряжение пробоя CBO 100 В (максимальное напряжение между коллектором и базой при открытом эмиттере, нереалистичное расположение в практических схемах) указывается как единственное номинальное напряжение, которое может вызвать путаницу. Производители редко указывают номинальное напряжение V CES для 2N3055.

Общая потребляемая мощность (P написана D в большинстве американских справочных данных, P карапуз в европейских) зависит от радиатора , к которому подключен 2N3055. С «бесконечным» радиатором, то есть: когда температура корпуса определенно составляет 25 градусов, номинальная мощность составляет около 115 Вт (некоторые производители указывают 117 Вт), но для большинства приложений (и, конечно, при высокой температуре окружающей среды) ожидается значительно более низкая номинальная мощность согласно графику снижения мощности производителя

Устройство разработано для работы с эффективным радиатором, но необходимо соблюдать осторожность, чтобы правильно установить устройство иначе это может привести к физическому повреждению или ухудшению энергопотребления, особенно с корпусами или радиаторами, которые не идеально плоский.

Частота перехода, f T

Руководство по RCA-транзисторам 1967 года, SC-13, не упоминает никаких измерений высокочастотных характеристик 2N3055; в руководстве SC-15 1971 года была указана частота перехода f T не менее 800 кГц (при I C = 1 A) и f hfe (частота, при которой усиление тока слабого сигнала падает на 3 дБ). указано при 1А как минимум 10 кГц. Другие производители примерно в это время также указали бы аналогичные значения (например, в 1973 году Philips дал f T > 0,8 МГц и f hfe > 15 кГц для своего устройства 2N3055).

К 1977 году RCA изменили свою спецификацию, чтобы дать 2,5 для минимальной величины усиления слабого сигнала при f = 1 МГц, по существу давая минимальное значение f T 2,5 МГц (и 4 МГц для их MJ2955). Современные таблицы данных 2N3055 часто, но не всегда, указывают f T равным 2,5 МГц (минимум), потому что со временем были внесены некоторые улучшения (особенно переход на эпитаксиальный производственный процесс). Тем не менее, нельзя предполагать, что 2N3055 (и многие другие силовые транзисторы того времени) обладают хорошими высокочастотными характеристиками, и даже в пределах диапазона звуковых частот может наблюдаться ухудшение фазового сдвига и усиления без обратной связи. Современные преемники 2N3055 могут быть гораздо более подходящими в схемах с быстрым переключением или высококачественных усилителях мощности звука.

TDA8567q 4х25 Вт

Мостовой усилитель класса Hi – Fi на четыре канала. Открыть в полном размере

Есть защита от короткого замыкания выходного каскада и термозащита с уменьшением выходной мощности при перегреве. А еще микросхема обладает защитой от колебаний напряжения и режимом отключения. Еще данная микросхема обладает режимом вкл/выкл входного сигнала(режим Mute), и защитой при подаче напряжения на схему от «щелчка».

Характеристики микросхемы

Параметр Значение
Uпит 6-18 В
Iвых 7,5 А
Iпокоя 230 мА
Pвых 4х25 Вт
Rвх 30 кОм
Коэффициент усиления 26 дБ
Полоса частот 20-20000 Гц
Коэффициент гармоник 0,05 %
Rнагр 4 Ом

Назначение выводов

Номер вывода Назначение
1 Напряжение питания
2 Выход 1+
3 Общий
4 Выход 1-
5 Выход 2-
6 Общий
7 Выход 2+
8 Напряжение питания
9 Диагностика
10 Вход 1
11 Вход 2
12 Общий сигнальный
13 Вход 3
14 Вход 4
15 Выбор режима
16 Напряжение питания
17 Выход 3+
18 Общий
19 Выход 3-
20 Выход 4-
21 Общий
22 Выход 4+
23 Напряжение питания

Китайский клон JLH1969

На данный момент на алиэкспресс существует клон этой схемы, которую можно заказать, как и в виде kit набора, так и уже собранную.

Мы заказали китайскую версию, поскольку не у всех есть возможность изготавливать платы самостоятельно. Сегодня мы посмотрим, как хорошо она звучит.

Собрать схему очень просто, так как плата сделана очень качественно. Выходные транзисторы 2N3055 непонятного происхождения, но мы пока оставим всё как есть и протестируем собранную плату.

Поскольку А класс имеет низкое КПД и требует хорошее охлаждение, мы будем использовать достаточно большие радиаторы.

А вот китайская схема. Резистором R1 мы настраиваем половину напряжения питания в контрольной точке A. Затем, резистором R2 выставляем ток покоя транзисторов. Красным крестиком на схеме указано место, в разрыв которого нужно подключать амперметр для измерения тока покоя.

Ток покоя необходимо выставлять после 15-минутной работы платы, когда она достаточно нагрелась.

На плате это выглядит так:

Напряжение питания — 24 вольт. Для начала мы выставили ток покоя 1.2A , затем половину напряжения питания между минусом и точкой А. (24/2=12) Затем замеряли температуру транзисторов во время работы. Транзисторы не нагревались выше 60 -70 градусов, это их нормальный режим. Если температура будет выше 70 градусов, нужно увеличить площадь радиатора.

Дальше мы сделаем свой блок питания. Питание будет раздельное. У нас 4 обмотки на трансформаторе, две из них будут использоваться для питания наших плат усилителя.

На каждый канал используется свой выпрямитель, номиналы конденсаторов — 2×15000 мкФ. В дальнейшем, если потребуется, мы увеличим их ёмкость. Стабилизатор мы не будем использовать, поскольку усилитель и так будет выделять много тепла.

Давайте послушаем, как звучит наш собранный усилитель. Напряжение питания и ток покоя мы выбрали самые распространенные среди пользователей, в дальнейшем мы их откорректируем.

Звук получился очень приятный и чем-то похож на ламповый. В музыке немного не хватает низов, но с высокими и средними частотами все в порядке.

После часового прослушивания нам пришлось приклеить к диодным мостам радиаторы, поскольку первые очень сильно нагревались (до 80 градусов). Транзисторы нагрелись до 70.

Теперь посмотрим какие у нас получились характеристики усилителя.

Общие результаты

АЧХ у нас немного завалена на низких частотах. Это не критично, но дальше мы расскажем, как это исправить.

На графике гармонических искажений преобладает вторая гармоника, которая и создает так называемый «ламповый звук».

Подробный тест нашей платы JLH1969 смотрите здесь

Схема принципиальная УМЗЧ Power Follower 99c

Сразу хочу предостеречь — включать это чудо без мало-мальских приличных радиаторов — это 100% убийство полевых транзисторов! Греется схема как небольшой масляный обогреватель. Всё-ттаки чистый А-класс.

Все три транзистора IRFP150N в каждом канале закрепил на один радиатор (один радиатор — один канал). Для этой цели использовал недавно удачно приобретенного донора «Кумир-001». Радиаторы меньших размеров, думается мне, не будут достаточно охлаждать схему.

Включил: вроде ничего не взорвалось, выставил половину напряжения на предохранителе. Подключил нагрузку (колонки S30), сигнал на вход подал со звуковой карты компьютера… И расстроился: звук хороший, активный, насыщенный, но максимум 4 Ватта на слух.

Как это часто бывает сыграла невнимательность. Огромное спасибо другу Сергею, который изучив оригинальную статью на английском языке подсказал, что схема этого оконечного усилителя не что иное, как, цитирую «усилитель тока, и коэффициент усиления по напряжению у него равен 1. Именно поэтому к нему делают специальные ламповые предусилители или на транзисторах с высоким питающим напряжением», конец цитаты.

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Т ранзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Маркировка буквенно — цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус — T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов КТ808А, 2Т808 — 50 Вт с радиатором и 5 Вт — без. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в. У транзисторов 2Т808А — 200 в, пульсирующее — 300 в. У транзисторов КТ808БМ — 100 в, пульсирующее — 160 в. У транзисторов КТ808ВМ — 80 в, пульсирующее — 135 в. У транзисторов КТ808ГМ — 70 в, пульсирующее — 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 4 в.

Максимальный ток коллектора — импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов КТ808А, 2Т808 — от 10 до 150, при типовом значении — 15. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию — не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор — эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор — эмиттер 120 в. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В.

Граничная частота передачи тока: У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 8МГц. У транзисторов КТ808А, 2Т808А — 7,5МГц.

Ультралинейный усилитель класса «А»

Вариант усилителя на отечественных транзисторах

По сути я ничего нового не придумал, просто давно хотел собрать данный усилитель, но на многих ресурсах отзывы о нем были не очень хорошие.

К сожалению, мне не удалось найти фотографии доделанных усилителей. Как правило, на страницах форума были только обсуждения и мне не оставалось ничего, кроме как повторить конструкцию. О схеме очень мало отзывов, в основном только негативные. Жалобы в основном о малом потреблении тока, слишком искаженный выходной сигнал и т.п.

Сначала были найдены все оптимальные замены транзисторам. Все транзисторы использовались отечественного производства. Травить плату не было возможности, поэтому как всегда на помощь пришла макетка.

На плате была собрана вся схема, а выходные транзисторы через провода припаяны к основной плате. В начале для выходного каскада использовал транзисторы КТ805, затем 819 и остановился на КТ803А — самый лучший вариант для этой схемы.

Схема планировалась для стандартной колонки на 4 Ом, поэтому некоторые номиналы схемы нужно подобрать под свои нужды. Выходной конденсатор на 3300 мкФ с напряжением 16-50вольт, входной по вкусу (от 0,1 до 1мкФ). Для питания использовал аккумулятор от бесперебойника, с ним усилитель развивает до 8 ватт, это уже чистейшая мощность, без хрипов, искажений и гулов.

За свою практику собрал немало усилителей мощности. Еще год назад, эталоном звука для меня были микросхемы СТК, затем была повторена схема ланзара и она долго не уступала свои позиции, но несколько дней назад этот усилитель вышел на первое место, оставив позади знаменитого ланзара.

Широкий диапазон воспроизводящих частот — еще одно достоинство этой схемы, хотя частоты ниже 30 Гц усилитель не сможет воспроизвести. Усилитель предназначен для широкополосной акустики, и для качественного звучания в первую очередь нужны качественные колонки. Хотя многие могут не согласится, но очень советую использовать отечественные головки 5 — 10 ГДШ с бумажным или поролоновым подвесом. После чистого класса «А» даже музыкальный центр будет звучать не так хорошо, как раньше.

Выходные транзисторы усилителя греются не так страшно, как говорилось в некоторых форумах, лично у меня без теплоотвода они поработали 10 минут на максимальной громкости, температура не превышала 70-80 градусов.

Странно то, что усилитель настолько качественный, что без подачи входного сигнала в колонках нет никакого шума или гула, словно усилитель выключен и включается только при подаче сигнала на вход.

Не советуется поднимать напряжение питания более 20 вольт, при 18 вольт усилитель показал 14 ватт — чистой синусоидальной мощи, но потреблял при этом 60 ватт… для класса «А» это вполне нормально. В дальнейшем планируется собрать еще один канал, уж больно понравился этот усилитель, рядом с ним даже музыкальный центр дурно звучит.

Список радиоэлементов

Обозначение Тип Номинал Количество Примечание Магазин Мой блокнот
T1 Биполярный транзистор КТ361Г 1 2N3906 Поиск в магазине Отрон В блокнот
T2 Биполярный транзистор КТ801А 1 КТ630Д, КТ602А, 2N697 Поиск в магазине Отрон В блокнот
Т3, Т4 Биполярный транзистор КТ803А 2 MJ480 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С1 Электролитический конденсатор 100 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С2 Конденсатор 0.22 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С3 Электролитический конденсатор 220 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С4 Электролитический конденсатор 470 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С5 Электролитический конденсатор 3300 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
С6 Конденсатор 0.1 мкФ 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R1 Резистор 39 кОм 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R2 Переменный резистор 100 кОм 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R3 Резистор 100 кОм 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R4 Резистор 220 Ом 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R5 Резистор 2.7 кОм 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R6 Резистор 8.2 кОм 1 Поиск в магазине Отрон В блокнот
R7 Резистор 47 Ом 1 0.5 Вт Поиск в магазине Отрон В блокнот
R8 Резистор 180 Ом 1 1 Вт Поиск в магазине Отрон В блокнот
R9 Резистор 2.2 кОм 1 0.5 Вт Поиск в магазине Отрон В блокнот
R10 Резистор 10 Ом 1 1 Вт Поиск в магазине Отрон В блокнот
Добавить все

Новые идеи и честная мощность

В каталоге New Acoustic Dimension впервые появился логотип NAD, который остается неизменным на протяжении вот уже сорока с лишним лет. К 1976 году Мартин Бориш настолько проникся возможностями и потенциалом новой компании, что даже ушел в отставку с поста президента Acoustic Research, чтобы открыть новую штаб-квартиру NAD в Лондоне.

В планах Мартина, занявшего пост исполнительного директора NAD, оставался вопрос создания доступного высококачественного стереоусилителя, который смог бы вывести компанию в лидеры среди производителей недорогих Hi-Fi-компонентов. Таким способом Бориш надеялся получить карт-бланш в бюджетном секторе Hi-Fi-электроники. Однако для разработки такого аппарата требовался прорыв, который мог осуществить не каждый. И такой человек был найден.

Бьорн Эрик Эдвардсен

Им оказался Бьорн Эрик Эдвардсен (Bjorn Erik Edvardsen) — молодой норвежский аудиоинженер, получивший образование в Эдинбургском университете и успевший поработать в таких компаниях, как Dolby Laboratories, ITT и Acoustic Research.

В NAD Эдвардсен получил пост технического директора. В это же время NAD занялась переговорами с компанией Fulet Electronic с целью организации производства своей продукции в Тайване, что позволило бы сократить расходы за счет использования более дешевой рабочей силы.

3030

Растущая британская команда инженеров-энтузиастов во главе с Эдвардсеном вплотную занялась экспериментами и совершенствованием электроники, а также тестированием новых схем и конфигураций. Эдвардсен изучал новые способы комбинирования и настройки транзисторов, улучшения проводки и т.д.

В итоге, в конце 1977 года в производственной программе фирмы появилась вторая серия аудиокомпонентов, которые продавались, в основном, в специализированных магазинах, торгующих компонентами класса High End и желающих заполучить качественный товар, способный конкурировать с продукцией японских компаний, доминирующих в бюджетном секторе.

3045

Новая линейка NAD включала в себя интегральные усилители 3030, 3045, 3060 и 3080. Последние цифры в маркировке указывали на мощность при нагрузке в 8 Ом — кроме модели 3080, которая выдавала 90 Вт на канал. В серию также вошли два новых тюнера (4030 и 4080) и четыре ресивера во главе с моделью NAD 7080 мощностью в 90 Вт на канал при 8 Ом.

Именно в данной серии проявилась «привычка» компании New Acoustic Dimension указывать настоящие и даже заниженные показатели мощности своих усилителей или ресиверов. Такая честная позиция контрастировала с производителями из Японии, которые стремились завышать данный показатель в характеристиках своей продукции. NAD ввела в обиход свой термин для обозначения и измерения мощности — Full Disclosure Power (FDP).

3060

Концепция основана на измерении мощности на выходе усилителя или ресивера во время одновременной работы всех его каналов в частотном диапазоне от 20 Гц до 20 кГц при заданном значении коэффициента искажений. При этом замер происходит не только при сопротивлении в 8 Ом, но и при 4-Омной нагрузке.

NAD также указывает динамическую мощность при 8, 4 и 2 Омах, которая является даже более информативным показателем по сравнению со стандартными параметрами, так как рассказывает о способности усилителя или ресивера уверенно контролировать кратковременные пиковые всплески предельно высокой мощности.

3080

Метод FDP является более честным по сравнению с рейтингом мощности, утвержденным FTC (Федеральная торговая комиссия США) и предусматривающим измерения только при 8-Омной нагрузке, минимальном количестве каналов, частоте в 1 кГц и без указания уровня искажений.

Поэтому NAD 3080 позиционировался как первый в мире усилитель, для которого был указан показатель мощности даже при нагрузке в 2 Ом. Большинство усилителей тех лет не могли похвастаться возможностью работать при такой нагрузке. Тем не менее, реакция критиков на новую линейку была неоднозначной — появлялись как хвалебные, так и не очень позитивные статьи.

Ссылки [ править ]

  1. ^
  2. Дир, SM (2000) . . (пятое переиздание, 2007 г.). Индия: Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited . п. 145. ISBN
  3. П. Горовиц; У. Хилл (2001). (2-е изд.). Издательство Кембриджского университета. п. 321. ISBN.

  4. Гордон МакКомб (2001). (2-е изд.). McGraw-Hill Professional. п. 261. ISBN.

  5. Рудольф Ф. Граф; Уильям Шитс (2001). . Newnes. п. 14. ISBN

  6. ^ . О полупроводнике . Полупроводниковые компоненты. Декабрь 2005 . Проверено 25 марта 2011 .
  7. Рор, Билл. . ON Semiconductor . Проверено 31 октября 2016 года .
  8. Эллиотт, Род. .
  9. Бьяджи, Юбер. . Берр-Браун . Проверено 31 октября 2016 года .
  10. Уорд, Джек (2001). . п. 3 . Проверено 7 ноября +2016 .
  11. Книга данных Power Semiconductor для инженеров-проектировщиков Первое издание , Texas Instruments Incorporated, публикация No. CC-404 70977-22-IS, без даты, стр. 5-75
  12. Группа IOSS (2008). . 1 . п. 52–53. ISBN
  13. Устройства питания RCA . RCA Corporation. 1977 г.
  14. . Транзисторы Тесла . Тесла. 1980 . Проверено 15 декабря 2015 .

↑ Class-A 2SK1058 MOSFET Amplifier

Несомненно, чтобы усилитель назывался усилителем, он должен содержать активные компоненты, обеспечивающие усиление. Меня всегда восхищали однотактные ламповые усилители. Как такое вообще возможно? Посмотрите, одна лампа, пара резисторов и выходной трансформатор. Поэтому я и решил создать усилитель на полевом транзисторе, придерживаясь такой же простоты дизайна. Один канальный полевой униполярный МОП-транзистор, пригодный для аудио, парочка резисторов и конденсаторов, и конечно же умощненный хорошо «профильтрованный» блок питанния. Схема такого усилителя представлена на рис. 1.


Рис. 1: Схема однотактного усилителя класса A на MOSFET-е

Применен полевик 2SK1058 от Hitachi. Это N-канальный MOSFET. Внутренняя схема и распиновка для 2SK1058 представлена на рис. 2.

Рис. 2: Hitachi 2SK1058 N-Channel MOSFET

Я использовал конденсаторы Sprague Semiconductor Group во входных цепях и большие электролиты на выходе с «бутербродом» из полиэстерного конденсатора на 10 мф. Все резисторы, если не указано иначе, на 0,5 Ватт. Четыре 10-ти Ваттных проволочных резистора работают в качестве нагрузки

Внимание, эти резисторы рассеивают около 30 Ватт и становятся чрезвычайно горячими даже при простое усилителя

Да, это класс А, а низкий КПД — расплата. Он съедает 60 Ватт, чтобы выдать ок. 5Вт! Мне пришлось использовать мощный и качественный радиатор с эффективным теплоотведением (0.784 °C/Ватт).


Фото 1: Печатная плата усилителя в сборе

Усилитель на кт808а своими руками

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/quote

Hudgun
ino53
Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество – минимальные значения паразитных индуктивностей.
Hudgun
При проектировании устройств работающих в автономном режиме очень важна оценка энергопотребления. Тесты от компании ЕEMBC помогают наиболее объективно оценить энергопотребление. В статье рассмотрен практический пример универсального способа расчета оценки энергоэффективности для новых микроконтроллеров STM32L5 с помощью отладочной платы ST.
Страница 1 из 1

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Сначала о том, почему составной

Как вы уже поняли, транзистор изобрел инженер Дарлингтон, но в итоге это изобретение получило двойное имя. С одной стороны, это транзистор Дарлингтона, но с другой же, составной транзистор. Так почему же составной? Ведь когда мы говорили о видах, ни о каких составных речи не шло. Все просто, друзья мои. Дарлингтон решил использовать сразу 2 биполярных транзистора. Они были реализованы на одном кристалле, сделанном из кремния и там, естественно было 2 перехода. На Западе это изобретение привыкли называть транзистором Дарлингтона, а у нас его по-простому называют составным. Ну что, давайте узнаем о нем еще больше.

↑ От редакции

• Чувствительность усилителя по входу низкая, около 2 Вольт. Если такого источника у вас нет, то предусилитель НЕОБХОДИМ. Любой, с выходом 1-2 Вольта. • Используйте чувствительные АС 5-10 Вт с легкими (бумага, волокна и пр.) диффузорами, как для ламповых усилителей небольшой мощности.

• Оригинальный транзистор 2SK1058 найти нынче практически невозможно. У китайцев сейчас есть предложения по 2SK1058, вот только гарантий, как обычно, нет. Можно получить битые, перемаркированные, отбракованные или вполне здоровые. Можно и нужно пробовать, но на свой риск

Обратие внимание на корпус 2SK1058 (см. выше в статье), он очень своеобразный, часть объявлений по фоткам сразу можно исключить

Пробуйте разные варианты

, сравнивая параметры в датащитах, ищите доступный транзистор с подобными параметрами. И даже пробуйте просто на слух. За неимением 2SK1058, по при большом желании, люди собирают на неподходящих IRF530, IRF540, IRF610 и пр.

Всем Доброй Удачи!

Игорь

Что такое транзистор

Для того, чтобы углубиться в тематику различных видов транзисторов, а конкретно в нашем случае узнать больше о транзисторе Дарлингтона, предлагаю сначала узнать все о самом простом транзисторе. Давайте разберемся, зачем он нужен и как он работает.

Начать хотелось бы с такого понятия, как триод. Это в общем такая лампа, которая может управлять током в цепи. Так вот, транзистор это тоже такой полупроводниковый триод, только уже без лампы. У него есть целых 3 вывода. Для чего оно надо? Транзисторы используются для коммутации и преобразования тока в цепи, при этом питаясь от небольшого входного тока. В электронике они используются очень часто. Например, их применяют во всех управляющих схемах различных электронных устройств (в тех же компьютерных платах). Конечно, иногда их еще можно заменить реле и тиристорами, но у тех тоже есть свои существенные недостатки, но это уже, как вы понимаете, совсем другая история. Вот так выглядит самый обыкновенный транзистор:

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электрик в доме
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Adblock
detector