Mosfet транзисторы принцип работы

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом – 250 Вольт

Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать ~~судьбу~~ транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

H2N7002 Datasheet (PDF)

0.1. h2n7002k.pdf Size:136K _hsmc

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ……………………………………………………………………………………………

0.2. h2n7002ksn.pdf Size:156K _hsmc

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

0.3. h2n7002sn.pdf Size:114K _hsmc

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol

0.4. h2n7002.pdf Size:129K _hsmc

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ………………………………………………………………………………………………….

2N7002-7 Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

2N7002KW MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N7002KW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.31
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6
Ohm

Тип корпуса:

2N7002KW
Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

May 20112N7002KWN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Pb Free/RoHS Compliant ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101DSSOT-323GMarking : 7KWAb

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

S2N7002KW 115mA, 60V N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES Low on-resistance Fast switching Speed AL Low-voltage drive 33 Easily designed drive circuits Top View C B11 2 ESD protected:1500V 2K EDH JF GMillimeter MillimeterREF. REF.

0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

2N7002KW 115mA , 60V, RDS(ON) 4 N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-323 RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=3 RDS(ON), [email protected], IDS@200mA=4 A Advanced Trench Process Technology L High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS2N7002KW N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 2.5 3 1. GATE2. SOURCE123. DRAINFEATURE APPLICATION High density cell design for Low RDS(on) Voltage controlled sm

Другие MOSFET… ZVP3310F
, ZVP4105A
, ZVP4424A
, ZVP4424G
, 2N7000BU
, 2N7000TA
, 2N7002DW
, 2N7002K
, BUZ90A
, 2N7002MTF
, 2N7002T
, 2N7002V
, 2N7002VA
, 2N7002W
, BSS138K
, BSS138W
, FCA16N60N
.

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CE = 30 В, I_E = 0	≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА	I_CEO	U_CE = 30 В, I_B = 0	≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_BE = 3 В, I_C =0	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 100 мкА, I_E = 0	˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 1 мА, I_B = 0	˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 100 мкА, I_C = 0	˃ 5
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1)	U_CE = 2 В, I_C = 0,02 А	≥ 30
h_FE(2)	U_CE = 2 В, I_C = 1,0 А	от 100 до 400
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 5 В, I_C = 0,1 мА	80
Выходная емкость, pF	C_C	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

2N7002P Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002pt.pdf Size:306K _philips

2N7002PT60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

0.2. 2n7002p.pdf Size:311K _philips

2N7002P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level compat

0.3. 2n7002pw.pdf Size:148K _philips

2N7002PW60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level co

0.4. 2n7002ps.pdf Size:354K _philips

2N7002PS60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSF

2N7002KW Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

2N7002BKS Datasheet (PDF)

6.1. 2n7002bkt.pdf Size:334K _philips

2N7002BKT60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 15 June 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technol

6.2. t2n7002bk.pdf Size:212K _toshiba

T2N7002BKMOSFETs Silicon N-Channel MOST2N7002BKT2N7002BKT2N7002BKT2N7002BK1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) ESD(HBM) level 2 kV(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.05 (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 (typ.) (@VGS = 5 V) RDS(ON) = 1.2 (

6.3. 2n7002bkmb.pdf Size:661K _nxp

2N7002BKMB60 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 2 13 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Logic-level compa

2N7002B MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N7002B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 7
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3
Ohm

Тип корпуса:

2N7002B
Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002bkt.pdf Size:334K _philips

0.2. t2n7002bk.pdf Size:212K _toshiba

0.3. 2n7002bkmb.pdf Size:661K _nxp

0.4. 2n7002b.pdf Size:237K _auk

2N7002BN-Channel Enhancement Mode MOSFETHigh Speed Switching Application Features ESD rating: 2000V (HBM) Low On-Resistance: RDS(on)

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

2N7002BK Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002bkt.pdf Size:334K _philips

0.2. t2n7002bk.pdf Size:212K _toshiba

0.3. 2n7002bkmb.pdf Size:661K _nxp

Типы МОП-транзистора (MOSFET)

На основе режима эксплуатации МОП-транзисторы можно разделить на два типа.

Режим насыщения
Режим истощения

Режим насыщения

В этом режиме отсутствует проводимость при нулевом напряжении, что означает, что оно по умолчанию закрыто или «ВЫКЛ», так как канал отсутствует. Когда напряжение затвора увеличивается больше, чем напряжение источника, носители заряда (дырки) смещаются, оставляя позади электроны, и, таким образом, устанавливается более широкий канал.

Напряжение на затворе прямо пропорционально току, то есть с увеличением напряжения на затворе ток увеличивается и наоборот.

Классификация режима насыщения МОП- транзисторов

Усовершенствованные МОП-транзисторы можно классифицировать на два типа в зависимости от типа используемого легированного субстрата (n-типа или p-типа).

N-канальный тип насыщения MOSFET
P-канальный тип насыщения MOSFET

N-канальный тип насыщения MOSFET

Слегка легированная субстрат P-типа образует корпус устройства, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
N-канал имеет электроны в качестве основных носителей.
Подаваемое напряжение затвора положительно для включения устройства.
Он имеет более низкую собственную емкость и меньшую площадь соединения из-за высокой подвижности электронов, что позволяет ему работать на высоких скоростях переключения.
Он содержит положительно заряженные примеси, что делает преждевременным включение полевых МОП-транзисторов с N-каналом.
Сопротивление дренажу низкое по сравнению с P-типом.

P-канальный тип насыщения MOSFET

Слегка легированная подложка N-типа образует корпус устройства, а исток и сток сильно легированы примесями P-типа.
P-канал имеет отверстия в качестве основных носителей.
Он имеет более высокую внутреннюю емкость и малую подвижность отверстий, что делает его работающим при низкой скорости переключения по сравнению с N-типом.
Подаваемое напряжение затвора является отрицательным для включения устройства.
Водостойкость выше по сравнению с N-типом.

Режим истощения

В этом типе канал уже установлен, и очевидно, что проводимость происходит даже при нулевом напряжении, и он открыт или включен по умолчанию. В отличие от типа насыщения, здесь канал лишен носителей заряда, чтобы уменьшить ширину канала.

Напряжение на затворе обратно пропорционально току, т. Е. С увеличением напряжения на затворе ток уменьшается.

Классификация режима истощения МОП-транзисторов

Истощающие МОП-транзисторы могут быть классифицированы на два типа в зависимости от типа используемого легированного субстрата (n-типа или p-типа).

Тип истощения канала N МОП-транзистор
Тип истощения канала P МОП-транзистор

Тип истощения канала N МОП-транзистор

Полупроводник P-типа образует подложку, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
Применяемое напряжение на затворе отрицательное.
Канал обеднен свободными электронами.

Тип канала истощения канала MOSFET

Полупроводник N-типа образует подложку, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
Поданное напряжение затвора положительное.
Канал обеднен свободными отверстиями.

2N7002-7-F Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

Аналоги

В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.

Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.

Тип	V_DSS	R_DS(on)	I_D	P_W
2N60B	600 V	5.0 Ω	2.0 А	3 W
STQ2HNK60ZR-AP	600 V		0.5 A	3 W
STD2HNK60Z-1	600 V		2.0 A	45 W
STF2HNK60Z	600 V		2.0 A	20 W
STP3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STP3NK60ZFP	600 V		2.4 A	20 W
STB3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z-1	600 V		2.4 A	45 W

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

2N7002BKW Datasheet (PDF)

6.1. 2n7002bkt.pdf Size:334K _philips

6.2. t2n7002bk.pdf Size:212K _toshiba

6.3. 2n7002bkmb.pdf Size:661K _nxp

2N7002A Datasheet (PDF)

0.1. t2n7002ak.pdf Size:591K _toshiba

T2N7002AK TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type T2N7002AK High Speed Switching Applications ESD protected gate Low ON-resistance RDS(on) = 2.8 (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(on) = 3.1 (typ.) (@VGS = 5 V) RDS(on) = 3.2 (typ.) (@VGS = 4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating Unit 1. Gate 2. Source Drai

0.2. 2n7002aq.pdf Size:235K _diodes

2N7002AQN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 60V 6 @ VGS = 5V 200mA Low Input Capacitance Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate, 1.2kV HBM This MOSFET is designed to minimize the on-s

0.3. 2n7002a.pdf Size:147K _diodes

2N7002AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: SOT-23 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D Low Input Ca

0.4. 2n7002a.pdf Size:51K _kec

2N7002ASEMICONDUCTORN CHANNEL ENHANCEMENT MODETECHNICAL DATAFIELD EFFECT TRANSISTORINTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. FEATURESEL B LHigh density cell design for low RDS(ON).DIM MILLIMETERSVoltage controolled small signal switch._A +2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Rugged and reliable.C 1.30 MAX23High saturation current capablity.D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.3

0.5. cmt2n7002ag.pdf Size:199K _champion

CMT2N7002AG SMALL SIGNAL MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This N-Channel enhancement mode field effect transistor High Density Cell Design for Low RDS(ON) is produced using high cell density, DMOS technology. Voltage Controlled Small Signal Switch These products have been designed to minimize Rugged and Reliable on-state resistance while provide rugged, reliable, and High

2N7002CK Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002ck.pdf Size:76K _philips

2N7002CK60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFETRev. 01 11 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in asmall SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

7.1. 2n7002c1c 2n7002c1d.pdf Size:329K _semelab

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1A / 2N7002C1B, 2N7002C1C / 2N7002C1D VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available Variants C1C & C1D with solder dip finished pads (63Sn

7.2. 2n7002csm.pdf Size:174K _semelab

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002CSM VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage

7.3. 2n7002c1a 2n7002c1b.pdf Size:289K _semelab

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1 VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 6

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

Историческая справка

H2N7002 Datasheet (PDF)

2N7002-7 Datasheet (PDF)

2N7002KW MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

2N7002KW Datasheet (PDF)

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

2N7002P Datasheet (PDF)

2N7002KW Datasheet (PDF)

Характеристики биполярного транзистора.

2N7002BKS Datasheet (PDF)

2N7002B MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

2N7002B Datasheet (PDF)

2N7002BK Datasheet (PDF)

Типы МОП-транзистора (MOSFET)

Режим насыщения

Классификация режима насыщения МОП- транзисторов

Режим истощения

Классификация режима истощения МОП-транзисторов

Тип истощения канала N МОП-транзистор

Тип канала истощения канала MOSFET

2N7002-7-F Datasheet (PDF)

Аналоги

2N7002BKW Datasheet (PDF)

2N7002A Datasheet (PDF)

2N7002CK Datasheet (PDF)

2N7002KW
Datasheet (PDF)

2N7002B
Datasheet (PDF)