Транзистор кт315

Распиновка

Цоколевка современного КТ315Б, выпускаемого в наши дни преимущественно выполнена в корпусе ТО-92 (отечественный КТ-26), имеет следующий вид. Эта стандартная пластиковая упаковка для подобных транзисторов имеющая три гибких металлических вывода. Если смотреть на её маркировку, то первая левая ножка — это эмиттер (Э), следующая – коллектор (К) и последняя – база (Б). Такое назначение контактов характерно для всех групп устройств серии КТ315, независимо от их корпусного исполняя – Э.К.Б.

Вместе с тем, первые КТ315Б были изготовлены в другом, достаточно специфичном, но очень известном пластмассовом корпусе КТ-13. Он был преимущественно оранжевый, однако может быть и в других цветах: красного, тёмно-зелёного, черного, желтого. В таком устаревшем корпусном исполнении, его выпуск продолжается по настоящее время . Например, на российском предприятии по производству электронных компонентов — ОАО СКБ «Элькор» (г.Нальчик).

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов. 

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
  • материал – кремний (Si);
  • npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

  • IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
  • IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
  • fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
  • емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
  • коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
  • cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
  • тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
  • Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1 Треугольник зеленого цвета Точка красного цвета
KT315Б1 Треугольник зеленого цвета Точка желтого цвета
KT315В1 Треугольник зеленого цвета Точка зеленого цвета
KT315Г1 Треугольник зеленого цвета Точка голубого цвета
KT315Д1 Треугольник зеленого цвета Точка синего цвета
KT315Е1 Треугольник зеленого цвета Точка белого цвета
KT315Ж1 Треугольник зеленого цвета Две точки красного цвета
KT315И1 Треугольник зеленого цвета Две точка желтого цвета
KT315Н1 Треугольник зеленого цвета Две точки зеленого цвета
KT315Р1 Треугольник зеленого цвета Две точки голубого цвета

Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы транзистора ГТ308А.

Обозначение

   H21э

Uкб=-1 В; Iэ=10
мА;
f=50 Гц  

qокр=25 °С

qокр=70 °С

qокр= -60 °С

      20…75

      20…200

³ 15

   H21э

Uкб=-5 В;  Iэ=5
мА;

f=20 МГц

³ 4.5

   Ikб0,

   МкА

-60 °С £qокр £ 25 °С

Uкб= -5 В;

Uкб= -15 В;

qокр=70 °С; Uкб= — 10 В;

£ 2

£ 5

£ 90

  Iэб0,

МкА

Uбэ= -2 В

Uбэ= -3 В

Uкб= -5 В; Iэ=5
мА;

f=20 МГц;

£ 50

£1000

³4.5

Кш,дБ

Uкб= -5 В; Iэ=5
мА;

f=1.6 МГц;

           —

Uкэ0.н,    В

Iк=50 мА; Iб= 3 мА

         — 1.5

Uбэ.н,В

Iк=10 мА; Iб=1
мА;

         — 0.5

  Uкб0.

Max,В

qокр £ 45 °С

          -20

Ск,пФ

Uкб= -5 В; f=5 МГц;

£ 8

Сэ,пФ

Uэб= -1 В; f=5 МГц;

£ 25

tрас.мкc

Iк=50 мА; Iб=4
мА;

tи= 5 мкс; f=1..10 МГц;

£ 1

tк, пс

Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=5
МГц;

          400

*KURSOVOY PROEKT PO OKPRTU*

* SHPAK  gr.940103*

R1 2 3 22K

R2 2 0 22K

R3 3 4 3K

R4 5 0 2K

R5 5 7 2K

R6 3 6 510

R7 8 10 1K

R8 9 0 270

R9 3 10 62K

R10 10 0 20K

R11 3 11 310

R12 12 0 170

R13 13 0 22K

.param k=1

.step param k list
0.8 2 5

C1 1 2 5.0UF

C2 6 0 10UF

C3 7 8 5.0UF

C4 8 9 {K*160PF}

C5 9 10 {K*160PF}

*C6 3 O 10UF

C7 11 13 10UF  

Q1 4 2 5 KT315a

Q2 7 4 6 KT361a

Q3 11 10 12 KT315a

.model KT315a NPN

.model KT361a PNP

VS 3 0 DC 12V

VIN 1 0 AC 0.01

.AC DEC 50 1khz
500MEGHZ

.DC VS 0.5 20.5 5

.Tran 0.5us 4us

.Four 84KHZ v(13)

.PROBE

.PRINT AC V(13)

.END

BJT MODEL
PARAMETERS

KT315a          KT361a         

NPN             PNP            

IS  
100.000000E-18  100.000000E-18

BF  
100             100           

NF     1              
1           

BR    
1               1           

NR    
1               1           

SMALL SIGNAL
BIAS SOLUTION       TEMPERATURE =   27.000 DEG C  

NODE  
VOLTAGE                                                           NODE  
VOLTAGE

(1)         
0.0000

(2)         
5.9318

(3)       12.0000

(4)      
10.1990     

(5)         
5.1700

(6)       
10.9910

(7)         
9.0879

(8)         
1.9415     

(9)         
0.0000

(10)       
1.9415

(11)        9.9800

(12)       
1.1188     

(13 )       
0.0000

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    9.788E-10    1.000E+00   -1.522E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    5.114E-10    5.225E-01    1.452E+02    2.974E+02

3    
2.520E+05    3.349E-11    3.422E-02    7.207E+01    2.243E+02

4    
3.360E+05    2.251E-10    2.300E-01   -1.576E+02   -5.391E+00

5     4.200E+05   
2.044E-10    2.088E-01    1.381E+02    2.903E+02

6    
5.040E+05    3.083E-11    3.150E-02    5.564E+01    2.079E+02

7    
5.880E+05    1.164E-10    1.190E-01   -1.604E+02   -8.126E+00

8    
6.720E+05    1.236E-10    1.263E-01    1.320E+02    2.842E+02

9    
7.560E+05    2.746E-11    2.805E-02    4.143E+01    1.937E+02

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    9.539E-10    1.000E+00   -1.545E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    5.184E-10    5.435E-01    1.395E+02    2.939E+02

3    
2.520E+05    7.710E-11    8.082E-02    4.980E+01    2.043E+02

4    
3.360E+05    1.862E-10    1.952E-01   -1.568E+02   -2.275E+00

5    
4.200E+05    1.839E-10    1.928E-01    1.294E+02    2.839E+02

6    
5.040E+05    5.561E-11    5.830E-02    2.306E+01    1.775E+02

7    
5.880E+05    9.593E-11    1.006E-01   -1.493E+02    5.203E+00

8     6.720E+05   
1.003E-10    1.052E-01    1.266E+02    2.811E+02

9    
7.560E+05    4.096E-11    4.295E-02    5.142E+00    1.596E+02

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    8.378E-10    1.000E+00   -1.573E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    4.557E-10    5.439E-01    1.307E+02    2.880E+02

3    
2.520E+05    1.170E-10    1.396E-01    1.536E+01    1.727E+02

4    
3.360E+05    1.705E-10    2.035E-01   -1.402E+02    1.710E+01

5    
4.200E+05    1.384E-10    1.652E-01    1.326E+02    2.899E+02

6    
5.040E+05    6.087E-11    7.265E-02   -1.418E+01    1.431E+02

7    
5.880E+05    1.138E-10    1.359E-01   -1.355E+02    2.186E+01

8    
6.720E+05    8.210E-11    9.799E-02    1.407E+02    2.981E+02

9     7.560E+05    3.747E-11   
4.472E-02   -3.237E+01    1.249E+02

1. ОПИСАНИЕ СХЕМЫ:

Принципиальная схема проектируемого устройства
предстваляет собой трехкаскадный  усилитель выполненный на кремниевых
высокочастотных транзисторах малой мощности.  2 каскада на транзисторах типа
КТ315А, а один на транзисторе типа КТ361А, которые включены по каскадной схеме.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Расчет

Конечно, приведенные формулы дают приблизительный результат, так как параметры транзисторов имеют конструктивный разброс и зависят от температуры. Но эти расчеты позволяют получить начальную точку, с которой осуществляется тонкий подбор.

[Ток отпирания, мА] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

Для аналога динистора ток управляющего электрода принимаем равным нулю.

[Отпирающее напряжение, В] = ([Ток отпирания, мА] + [Ток управляющего электрода, мА]) * [Сопротивление R2, кОм] + [Ток отпирания, мА] * ([Сопротивление R1, кОм] + [Сопротивление R3, кОм])

[Ток удержания, мА] = 2 * [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

[Напряжение запирания, В] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] + [Напряжение насыщения коллектор — эмиттер транзистора, В]

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (UБЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы IБ и коллектора IК незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение UБЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока IБ максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора RБ. При этом IК может расти до 100 мА, а UКЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления. Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства.

Будет интересно Как сделать мигающий светодиод?

Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору. Перед проверкой исправного состояния транзистора, стоит учесть, что современные радиодетали имеют дополнительный диод, расположенный между истоком и стоком, который обязательно нанесен на схему прибора. Полярность диода полностью зависит от вида транзистора.

Обезопасить себя от накопления статических зарядов можно при помощи антистатического заземляющего браслета, который надевается на руку, или прикоснуться рукой к батарее. Основная задача, как проверить мультиметром полевой транзистор, не выпаивая его из платы, состоит из следующих действий:

  1. Необходимо снять с транзистора статическое электричество.
  2. Переключить измерительный прибор в режим проверки полупроводников.
  3. Подключить красный щуп к разъему прибора «+», а черный «-».
  4. Коснуться красным проводом истока, а черным стока транзистора. Если устройство находится в рабочем состоянии на дисплее измерительного прибора отобразиться напряжение 0,5-0,7 В.
  5. Черный щуп подключить к истоку транзистора, а красный к стоку. На экране должна отобразиться бесконечность, что свидетельствует об исправном состоянии прибора.
  6. Открыть транзистор, подключив красный щуп к затвору, а черный – к истоку.
  7. Не меняя положение черного провода, присоединить красный щуп к стоку. Если транзистор исправен, тогда тестер покажет напряжение в диапазоне 0-800 мВ.
  8. Изменив полярность проводов, показания напряжения должны остаться неизменными.
  9. Выполнить закрытие транзистора, подключив черный щуп к затвору, а красный – к истоку транзистора.

Говорить об исправном состоянии транзистора можно исходя из того, как он при помощи постоянного напряжения с тестера имеет возможность открываться и закрываться. В связи с тем, что полевой транзистор обладает большой входной емкостью, для ее разрядки потребуется некоторое время.

Эта характеристика имеет значение, когда транзистор вначале открывается с помощью создаваемого тестером напряжения (см. п. 6), и на протяжении небольшого количества времени проводятся измерения. Проверка мультиметром рабочего состояния р-канального полевого транзистора осуществляется таким же методом, как и n-канального.

Только начинать измерения следует, подключив красный щуп к минусу, а черный – к плюсу, т. е. изменить полярность присоединения проводов тестера на обратную. Исправность любого транзистора, независимо от типа устройства, можно проверить с помощью простого мультиметра.

Для этого следует четко знать тип элемента и определить маркировку его выводов. Далее, в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления узнать прямое и обратное сопротивление его переходов. Исходя из полученных результатов, судить об исправном состоянии транзистора.


Подключения транзистора к тестеру

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора Маркировочная метка на срезе
боковой поверхности корпуса
Маркировочная метка
на торце корпуса
KT315A1 Треугольник зеленого цвета Точка красного цвета
KT315Б1 Треугольник зеленого цвета Точка желтого цвета
KT315В1 Треугольник зеленого цвета Точка зеленого цвета
KT315Г1 Треугольник зеленого цвета Точка голубого цвета
KT315Д1 Треугольник зеленого цвета Точка синего цвета
KT315Е1 Треугольник зеленого цвета Точка белого цвета
KT315Ж1 Треугольник зеленого цвета Две точки красного цвета
KT315И1 Треугольник зеленого цвета Две точка желтого цвета
KT315Н1 Треугольник зеленого цвета Две точки зеленого цвета
KT315Р1 Треугольник зеленого цвета Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электрик в доме
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: