Транзистор bc547 аналоги, datasheet на русском, параметры, схема

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (U_КБ=10 В), мкА	I_КБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (I_Э=1 мА, U_КБ=10 В)	h_21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=25 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=20 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=40 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=35 В), мА	I_КЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U_КБ = 10 В, I_Э= 5 мА, f = 100 МГц)	\|h_21Э\|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (I_Э= 5 мА, U_КБ=10 В, f=5 МГц), пс	τ_к		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361

Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса

Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом

Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М

Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г

Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса

Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95%

Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом

Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 60 В, I_E = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5 В, I_C =0	≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭	h_FE(1)	U_CE = 6 В, I_C = 0,002 А	40…250
h_FE(2)	U_CE = 6 В, I_C = 0,15 А	≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 100мА, I_B = 10 мА	0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 100мА, I_B = 10 мА	≤ 0,1
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 10 В, I_C = 1 мА	≥ 80
Выходная емкость, pF	Cob	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом	r_bb’	U_CB = 10 В, I_E = 1 мА, f = 30 МГц	50
Коэффициент шума (типовое значение), dB	2SC3198A	NF	U_CE = 6 В, I_C = 0,1 мА, f = 1 кГц, R_g = 10 кОм	1
2SC3198L	NF	0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе	2SC3198 O	2SC3198 Y	2SC3198 GR	2SC3198 BL
Диапазон величины h_FE	70…140	120…240	200…400	350…700

Биполярный транзистор BC547B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

BC547B
Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	V_CEO, В	I_C, мA	P_C, мВт	h_FE	f_T, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	TO-92
КТ604А/Б	0,8	300	250	5	0,2	150	40	≤ 7	10…120	TO-92
КТ608А/Б	0,8	60	60	4	0,4	150	200	≤ 15	20…160	TO-92
КТ611А/Б/В/Г	0,8	200	180	4	0,1	150	≥ 60	≤ 5	10…120	TO-8
КТ6110	0,625	40	20	5	0,5	150	—	—	60…200	TO-92
КТ6111	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ6117А/Б	0,625	180	160	15	0,6	150	100	≤ 6	60…250	TO-92
КТ6137	0,625	60	40	6	0,2	150	300	4	100…300	TO-92
КТ660А/Б	0,5	50/30	5	0,8	150	200	≤ 10	110…450	TO-92
К125НТ1	0,4	45	4	0,4	—	—	15	10…150	Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	от 25 до 700	TO-92
2SA1246	0,4	60	50	15	0,15	150	100	9	100	TO-92
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	175	80	3,5	≥ 70	TO-92
2SC3331	0,5	60	50	6	0,2	150	200	3	≥ 100	TO-92
2SC3382	0,4	60	50	6	0,2	150	250	2,7	≥ 100	TO-92
KTC3199	0,4	50	50	5	0,15	150	80	2	270	TO-92S
2N6428/A	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	100	TO-92
2SC5343T	0,625	60	50	—	0,15	—	80	—	70	TO-92
3DG1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
BC431	0,625	60	—	5	0,5	150	100	—	63	TO-92
BC445A	0,625	60	60	6	0,2	150	100	—	120	TO-92
BC547BA3	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	200	TO-92
BTC945A3	0,625	60	50	5	0,2	150	150	—	135	TO-92
DTD113Z	0,625	60	50	—	0,5	150	200	—	200	TO-92
DTD143E	0,625	60	50	5	0,5	150	200	—	47	TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
H1420	0,625	60	60	7	0,2	150	150	—	70	TO-92
KSP8098	0,625	60	60	6	0,5	150	150	—	100	TO-92
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	70	TO-92
KTC945/B	0,625	60	50	5	0,15	150	300	—	90/70	TO-92
STS5343	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	120	TO-92
TEC9014A/B	0,625	60	50	5	0,15	150	150	—	60/100	TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Новейшее из новостей

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр	Значение
V_CBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(U_{CB max})	BC547/550	50
BC548/549	30
V_CEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(U_{CE max})	BC547/550	45
BC548/549	30
V_EBO (U_{EB max})	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
BC548-550	5
I_C(I_Cmax)	Ток коллектора, А	0,1
P_C (P_{C max})	Рассеиваемая мощность, Вт	0,5
T_j(t_jmax)	Температура кристалла, °С	150
T_stg	Температура хранения, °С	-65…+150

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

напряжение между выводами Б-Э до 4В;
ток коллектора до 50мА;
мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

граничная частота по H_21Э(если U_K_Э=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_K_Э) до 1 мкА; коллектора (при U_K_Б=10В) до 1 мкА;
возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

большой разброс значений H_21Э;
в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Биполярный транзистор BC547C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC547C
Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Тип.	Макс.
I_CBO	Обратный ток коллектора, nA	V_CB=30В, I_E =0			15
h_FE (h₂₁)	Коэффициент усиления	V_CE=5В, I_C =2мА	110		800
V_CE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	I_C=10 мA, I_B=0,5мA		90	250
I_C=100 мA, I_B=5мA		200	600
V_BE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	I_C =10 мA, I_B=0,5мA		700
I_C =100 мA, I_B=5мA		900
V_BE (U_BE)	Напряжение б-э (прямое), В	V_CE=5 В, I_C =2 мA	580	660	700
V_CE=5 В, I_C =10 мA			720
f_T	Граничная частота, МГц	V_CE=5В, I_C =10мA, f=100 MГц		300
C_ob	Выходная емкость, пФ	V_CB=10В, I_E =0, f= 1MГц		3,5	6
C_ib	Входная емкость, пФ	V_EB=0,5В, I_С =0, f= 1MГц		9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц		2	10
ВС549, 550		1,2	4
ВС549	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 30-15000 Гц		1,4	4
ВС550		1,4	3

Примечания:

Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.